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來自三星的世界上最小的8Gb DDR4內存即將上市為您的PC供電

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作者的文章: Kenneth Douglas

韓國巨頭三星電子部門宣布了內存技術的又一項成就。他們完成了第二代10nm 8千兆位DDR4內存芯片的開發和測試。新型DRAM芯片是同類產品中最小的一款,即將進入批量生產,之後它將在未來發布PC中。

與第一代芯片相比,新款三星8Gb RAM的能效約為15%,速度提高了10%。 DRAM芯片能夠以3,600 Mbps運行,而上一代則最高可提供3,200 Mbps。第一代產品的整體生產率提高約30%,這將使公司能夠快速製造存儲芯片。

新的RAM沒有看到任何製造過程的變化,但三星已經設法通過增加新技術,包括“獨特的空氣墊片”和更好的錯誤檢查機制來減小尺寸。

該公司正試圖將他們的第二代10nm內存廣泛應用,但他們也將創造更多第一代10nm芯片以滿足行業需求。在此之後,他們的下一個重大發展是基於8nm LPP製造工藝的RAM芯片。此外,三星正專注於其他內存技術,如DDR5,LPDDR5,GDDR6和HBM3,它們可用於多種移動設備,高端GPU,HPC系統等。

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